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Half-Heusler合金是一类具有丰富物性的拓扑半金属材料，而磁电输运性质是表征拓扑物性重要手段。本报告聚焦于half-Heusler合金新体系RAuSn中的反常输运特性以及物性调控研究。霍尔效应通常认为与材料的面外铁磁性相关，我们在非磁性合金的特定晶体结构对称性下可以实现了面内霍尔效应。磁性与能带耦合是实现外磁场调控输运的重要条件，磁性RAuSn为窄带隙半导体，研究表明在该系列合金中外磁场可以通过调控能带劈裂实现带隙的闭合，从而实现了半导体到半金属的转变，在输运上表现为巨大负磁电阻效应。

陈杰，博士，2020年在中国科学院大学/中国科学院物理所获得理学博士学位，2020-2022年中科院物理所和松山湖材料实验室来联合培养博士后，2022年入职天津工业大学，现为电子与信息工程学院副教授，硕士生导师。以一作和通讯作者在AFM（2篇）、Materials Horizons、NPG Asia Materials、PRB、APL等期刊发表论文十余篇。主持和参与了国家自然科学基金青年项目、国际(地区)合作与交流项目、中国博士后基金等多个研究项目。主要研究领域为：拓扑材料以及磁性拓扑材料的宏观磁性与输运物性研究，包括：新材料物态设计与生长、多维度（晶格、电子、自旋、能带）磁电物性调控、宏观量子效应、新物性探索。研究的材料体系有磁性稀土基化合物、half-Heusler合金、稀土过渡族合金等。